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摘要：本文介绍了一个简单、具有快速响应时间的过流故障检测器，用于低压系统的电路保护。该方案与专用的热插拔控制器不同，专用的热插拔控制器跳出欠压状态后往往具有较长的启动延时，而本文介绍的电路在输入电压超过2.7V后仅150μs后就可提供保护。此外，在上电过程中，该电路会通过限制外部p沟道开关的栅极电压来限制浪涌电流。
概述
图1所示为完整的输出锁定过流故障检测器电路。上电后，比较器输出COUT的电压接近0V。由Q2和Q3组成的同相缓冲器确保Q1 (具有非常低的导通阻抗、低门限电压的p沟道功率MOSFET)的栅极完全导通。通过高边检流放大器测量流入负载中的电流，将检流电阻RSENSE两端的小电压信号按比例放大、转换为以地为参考的电压，从OUT 引脚输出。该输出电压与负载电流成正比，最后经过分压后送入带锁存的同相比较器的输入端。当负载电流超出R1和R2设置的门限电压时，比较器翻转，输出电压被R3拉高。由于栅-源电压跌落至栅极门限以下，p沟道MOSFET关断。同相缓冲器Q2-Q3确保Q1栅极具有足够的充电电流和放电电流，实现快速切换。，大小：165 KB
摘要：本文介绍了一个简单、具有快速响应时间的过流故障检测器，用于低压系统的电路保护。该方案与专用的热插拔控制器不同，专用的热插拔控制器跳出欠压状态后往往具有较长的启动延时，而本文介绍的电路在输入电压超过2.7V后仅150μs后就可提供保护。此外，在上电过程中，该电路会通过限制外部p沟道开关的栅极电压来限制浪涌电流。
概述
图1所示为完整的输出锁定过流故障检测器电路。上电后，比较器输出COUT的电压接近0V。由Q2和Q3组成的同相缓冲器确保Q1 (具有非常低的导通阻抗、低门限电压的p沟道功率MOSFET)的栅极完全导通。通过高边检流放大器测量流入负载中的电流，将检流电阻RSENSE两端的小电压信号按比例放大、转换为以地为参考的电压，从OUT 引脚输出。该输出电压与负载电流成正比，最后经过分压后送入带锁存的同相比较器的输入端。当负载电流超出R1和R2设置的门限电压时，比较器翻转，输出电压被R3拉高。由于栅-源电压跌落至栅极门限以下，p沟道MOSFET关断。同相缓冲器Q2-Q3确保Q1栅极具有足够的充电电流和放电电流，实现快速切换。，大小：165 KB