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当插卡（或接口板）在主板带电的情况下插入或拔出时，由于插卡上滤波电容的放电作
用会对主电源呈现低阻状态，造成主电源损坏。图一所示电路能够在可编程的开启时间内对负载电流加以限制、调节，保证系统在热插拔过程中安全、可靠工作。正常工作状态下，MAX4370内部的两个比较器（低速/高速比较器）提供双速/双电平短路和过流保护，电源电压范围+3V至+12V，内置电荷泵控制器为外部N 沟道MOSFET 功率开关提供栅极驱动。检测到系统故障时，MAX4370将处于锁存状态。
开启状态：系统上电时，MAX4370 处于开启状态，开启时间由外接电容CTIM 决定，内部低速比较器不工作，通过以下两个途径为系统提供电流限制：
1、 控制外部的MOSFET栅极驱动电压，使供给负载的电流缓慢上升。
2、 通过调整外部限流电阻的电压限制流入负载的电流。
当高速比较器检测到过流时，栅级电压以固定的80μA 电流通过限流电阻放电，从而有效控制了上电期间的导通电流。
正常工作模式：开启过程结束后，MAX4370 进入正常工作模式，利用两个比较器以不同的检测门限（双电平）和响应时间（双速）检测负载电流，一旦检测到故障，则断开MOSFET。检测过程为：
1、 低速比较器的的响应时间由外接电容CSPD 确定（tCSPD（ms）=0.2 x CSPD(nF)），CSPD 引脚浮空时，响应时间为默认值20μs；检测门限电压为固定的50mV；低速比较器对瞬态小电流没有响应，当检测到过流时，MOSFET栅极被放电，而后关断MOSFET。
2、 高速比较器的响应时间和检测门限电压均为固定值，门限电压为200mV，当检测到故障时，立即断开MOSFET。
出现故障时，STAT 引脚输出低电平，MAX4370 处于锁存状态，要清除锁存状态需在ON 引脚输入一负脉冲，脉冲宽度应大于20μs。
应用：
1、 选择N沟道MOSFET：N沟道MOSFET的额定电流应满足负载电流的要求；在满负荷范围内，MOSFET 的导通电阻RDS（ON）应足够小，以降低栅漏间的压差减小功耗，当负载电流为1A时，可选用IR公司的IRLMS1503。参考表一。，大小：5.78 MB
当插卡（或接口板）在主板带电的情况下插入或拔出时，由于插卡上滤波电容的放电作
用会对主电源呈现低阻状态，造成主电源损坏。图一所示电路能够在可编程的开启时间内对负载电流加以限制、调节，保证系统在热插拔过程中安全、可靠工作。正常工作状态下，MAX4370内部的两个比较器（低速/高速比较器）提供双速/双电平短路和过流保护，电源电压范围+3V至+12V，内置电荷泵控制器为外部N 沟道MOSFET 功率开关提供栅极驱动。检测到系统故障时，MAX4370将处于锁存状态。
开启状态：系统上电时，MAX4370 处于开启状态，开启时间由外接电容CTIM 决定，内部低速比较器不工作，通过以下两个途径为系统提供电流限制：
1、 控制外部的MOSFET栅极驱动电压，使供给负载的电流缓慢上升。
2、 通过调整外部限流电阻的电压限制流入负载的电流。
当高速比较器检测到过流时，栅级电压以固定的80μA 电流通过限流电阻放电，从而有效控制了上电期间的导通电流。
正常工作模式：开启过程结束后，MAX4370 进入正常工作模式，利用两个比较器以不同的检测门限（双电平）和响应时间（双速）检测负载电流，一旦检测到故障，则断开MOSFET。检测过程为：
1、 低速比较器的的响应时间由外接电容CSPD 确定（tCSPD（ms）=0.2 x CSPD(nF)），CSPD 引脚浮空时，响应时间为默认值20μs；检测门限电压为固定的50mV；低速比较器对瞬态小电流没有响应，当检测到过流时，MOSFET栅极被放电，而后关断MOSFET。
2、 高速比较器的响应时间和检测门限电压均为固定值，门限电压为200mV，当检测到故障时，立即断开MOSFET。
出现故障时，STAT 引脚输出低电平，MAX4370 处于锁存状态，要清除锁存状态需在ON 引脚输入一负脉冲，脉冲宽度应大于20μs。
应用：
1、 选择N沟道MOSFET：N沟道MOSFET的额定电流应满足负载电流的要求；在满负荷范围内，MOSFET 的导通电阻RDS（ON）应足够小，以降低栅漏间的压差减小功耗，当负载电流为1A时，可选用IR公司的IRLMS1503。参考表一。，大小：5.78 MB
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