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硅光电池特性的研究

  • 名称:硅光电池特性的研究 下载
  • 类型:电源技术
  • 授权方式:免费版
  • 更新时间:05-04
  • 下载要求:无需注册
  • 下载次数:518
  • 语言简体中文
  • 大小:2.81 MB
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《硅光电池特性的研究》简介

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掌握PN结形成原理及其工作机理
掌握硅光电池工作原理及其工作特性
掌握发光二极管的工作原理
一  PN结的形成及工作原理        
           当P型和N型半导体材料结合时,P 型( N型)材料中的空穴(电子)向N 型( P 型)材料这边扩散,扩散的结果使得结合区形成一个势垒,由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行,当两者达到平衡时,在PN结两侧形成一个耗尽区。
当PN结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;当PN结正偏时,外加电场与内电场方向相反,耗尽区在外加电场作用下变窄,势垒削弱。
二  硅光电池的工作原理
硅光电池是一个大面积的光电二极管,它可把入射到它表面的光能转化为电能。当有光照时,入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带,激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区,当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。

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