采用光生伏特效应的LED芯片在检测方法上的研究

　　根据图l所示的等效电路，可以得到光生电流IL与支架上流过的电流I的关系为：

　　由式(6)和式(7)可以看出，支架上流过的电流I与LED的多个电参数都有关系。对于相同颜色同种类型且功能完好的不同I,ED样品，因为材料和结构都相同，其体电阻Rs1并联电阻Rsh以及电流电压关系也认为是相同的。而封装过程中存在的诸多缺陷(固晶胶连或焊接质量问题)则会导致不同LED的电极电阻及电极和结之间的接触电阻Rs2存在差异。由于Rs为一低电阻，小于1Ω 欧姆，Rsh止为一高电阻，约有几kΩ，LED引线支架的电阻也非常小，一般在mΩ量级，因此有时不考虑Rsh和RL的影响，则光生电流IL与支架上流过的电流，的关系式以简化为：

　　对于2．1节所述的红色LED样品，当产生的光生电流IL为101μA时，若取串联电阻Rs=1Ω，AR正=0.1 Ω，根据式(8)，则支架上流过的电流，的变化略小于10％。这说明，接触电阻的微小差异都会对支架上流过的光生电流I产生较大的影响。因此。对于功能完好的LED芯片，通过分析支架上流过的光生电流，可以获得接触电阻的大小，进而可以检测LED封装过程中芯片与引线支架之间的电气连接状态。

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