在设计磁场屏蔽时，应遵循如下准则：磁屏蔽体应选用高磁导率的铁磁性材料，防止磁饱和；被屏蔽物与屏蔽体内壁应留有一定间隙，防止磁短路现象发生；可增加屏蔽体壁厚，单层屏蔽体壁厚不宜超过2. 5 mm。若单层屏蔽体的屏蔽效果不好，可采用双层屏蔽或多层屏蔽，也可防止磁饱和；应使屏蔽体的接缝与孔洞的长边平行于磁场分布的方向，圆孔的排列方向要使磁路增加量最小，目的是尽可能不阻断磁通的通过；屏蔽体加工成型后都要进行退火处理；从磁屏蔽的机理而言，屏蔽体不需接地，但为了防止电场感应，一般还是要接地。
（3）电磁场屏蔽
电磁场屏蔽是利用屏蔽体阻止电磁场在空间传播。电磁场屏蔽是靠对电磁波的反射和吸收来完成的，屏蔽效果与屏蔽体的厚度无关，这与电场屏蔽和磁场屏蔽不同。因为屏蔽体对来自导线、电缆、元器件、电路或系统等外部的干扰电磁波和内部电磁波均起着吸收能量（涡流损耗）、反射能量（电磁波在屏蔽体上的界面反射）和抵消能量（电磁感应在屏蔽层上产生反向电磁场，可抵消部分干扰电磁波）的作用，所以屏蔽体具有减弱干扰的功能。
在设计电磁场屏蔽时，选择屏蔽体材料的原则是：当干扰电磁场的频率较高时，利用低电阻率（高电导率）的金属材料中产生的涡流（ ，电阻率越低，消耗的功率越大），形成对外来电磁波的抵消作用，从而达到屏蔽的效果；当干扰电磁波的频率较低时，要采用高导磁率的材料，从而使磁力线限制在屏蔽体内部，防止扩散到屏蔽的空间去；在某些场合下，如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时，往往采用不同的金属材料和磁材料组成多层屏蔽体。
3.3 I／O接口的硬件抗干扰
由于单片机控制系统中的I／0接口多数负责数据采集、控制执行等工作。其受到干扰的机会比别的单元更多，通常情况下可采用：
(1) 光电耦合隔离。通过光电耦合器可以切断2个电路间的电气联系，信号通过光路进行传递，发光管和晶体管之间无导线连接，能有效抑制尖峰脉冲和各种噪声的干扰，从而能有效地防止干扰从过程通道进入主机。光耦的抗干扰能力很强，主要有以下三方面的原因：光耦的输入阻抗很低，一般在100~1000Ω，而干扰源的内阻一般都很大，通常为105~106Ω，根据分压原理可知，这时能馈送到光耦输入端的噪声很小。即使有时干扰电压的幅值很高，但所提供的能量却很小，只能形成微弱的电流，而光耦输入部分的发光二极管，只有通过一定强度的电流时才能发光，输出部分的光敏三极管只在一定的光强下才能工作，因此电压幅值很高的干扰，会由于没有足够的能量使发光二极管发光而被抑制掉；其次，光耦的输入回路和输出回路之间是光耦合的，而且又是在密封的条件下进行的，故不会受到外界光的干扰；最后，光耦的输入回路和输出回路之间的分布电容极小，绝缘电阻阻抗很大，因此回路一边的各种噪声很难通过光耦馈送到另一边去。而且光耦隔离由于采用的是电流环路传输，所以能避免在长线传输的时候，在传输线上积累高压和感应信号，使得数据紊乱甚至损坏TTL接口芯片，或者干扰单片机控制系统的正常运行。但是在使用光耦时，它的输入部分和输出部分必须分别采用独立的电源供电，如果两端共用一个电源，则光耦的隔离作用将失去意义。
(2) 双绞线传输。双绞线能使各个小环路的电磁感应干扰相抵消，对电磁场干扰有一定的抑制作用。
(3)长线传输的阻抗匹配。要求源的输出阻抗、传输线的特性阻抗与接受端的输入阻抗三者相等。否则信号在传输线上会产生反射，造成失真，其危害程度与系统工作速度、传输线长度以及不匹配的程度有关。
(4)用电流传输代替电压传输。其结果可获得较好的抗干扰性能。例如：RS-485的抗干扰能力明显高于RS-232。
另外，单片机不用的I/O口定义成输出；闲置不用的门电路输入端不要悬空，要接高电平或者接地；闲置不用的运算放大器正输入端要接地，负输入端接输出端。
4 结束语
除了前面所讲的硬件抗干扰设计外，还应该采用软件抗干扰措施，如数字滤波技术，软件陷阱技术，软件看门狗技术等等，通过综合软件和硬件抗干扰技术各自的特点、优点，使得设计出来的系统达到最优的性价比。总之，干扰的产生和传递是很复杂的，各种措施的有效性也不尽相同，在系统设计过程中，一开始便着手考虑干扰的抑制，精心进行硬件电路设计和软件程序编写。成功的抗干扰设计需要一定的理论指导，更需要实践经验的积累，做到二者相结合，便能在短期内设计出高质量，高可靠性，连续稳定运行的单片机控制系统。
本文的创新点是：通过分析单片机控制系统中电磁干扰产生的机理，总结出了一些实用的抑制电磁干扰的方法。
，单片机控制系统的硬件抗干扰设计